電化學拋光是以被拋光工件為陽極,不溶性金屬為陰極,兩電極同時浸入電化學拋光槽中,通以直流電而產生有選擇性的陽極溶解,陽極表面光亮度增大,這種過程與電鍍過程正好相反。
電化學拋光機理-黏性薄膜理論如下。拋光主要是陽極電極過程和表面磷酸鹽膜共同作用的結果。從陽極溶解下來的金屬離子與拋光液中的磷酸形成溶解度小,黏性大、擴散速率小的磷酸鹽,并慢慢地積累在陽極附近,粘接在陽極表面,形成了黏滯性較大的電解液層。密度大、導電能力差的黏膜在微觀表面上分布不均勻,從而影響了電流密度在陽極上的分布。很明顯,黏膜在微觀凸起處比凹洼處的厚度小,使凸起處的電流密度較高而溶解速率較快。隨著黏膜的流動,凸凹位置的不斷變換,粗糙表面逐漸整平。不銹鋼表面因此被拋光達到高度光潔和光澤的外觀。
由此可見,溶液(ye)濃度(du)(du)和黏(nian)度(du)(du)是(shi)個(ge)重要(yao)(yao)因素(su),特別(bie)(bie)是(shi)溶液(ye)的(de)(de)黏(nian)度(du)(du),往往表現(xian)在新配的(de)(de)拋(pao)(pao)光液(ye)雖然(ran)組分濃度(du)(du)達(da)到了要(yao)(yao)求,但由于黏(nian)度(du)(du)尚(shang)未達(da)到要(yao)(yao)求而(er)拋(pao)(pao)不(bu)光,只有在經過一段(duan)時間(jian)的(de)(de)電(dian)(dian)解后(hou)才(cai)開(kai)始拋(pao)(pao)光良好。特別(bie)(bie)是(shi)溶液(ye)與零(ling)件(jian)的(de)(de)界面(mian)(mian)濃度(du)(du)和黏(nian)度(du)(du),在拋(pao)(pao)光中起著重要(yao)(yao)作用。這(zhe)(zhe)就是(shi)為什么要(yao)(yao)求零(ling)件(jian)在進入拋(pao)(pao)光液(ye)前表面(mian)(mian)水膜要(yao)(yao)均勻,否(fou)則(ze)零(ling)件(jian)表面(mian)(mian)帶水膜的(de)(de)不(bu)均勻性,破壞了黏(nian)膜的(de)(de)正常生成,發生局部(bu)過腐(fu)蝕(shi)現(xian)象。水洗后(hou)的(de)(de)零(ling)件(jian)最(zui)好甩干后(hou)迅速下槽,這(zhe)(zhe)樣通電(dian)(dian)拋(pao)(pao)光后(hou),表面(mian)(mian)過腐(fu)蝕(shi)現(xian)象即(ji)可避免。
電(dian)化(hua)(hua)學拋(pao)(pao)(pao)(pao)光還不能完全取(qu)代機械拋(pao)(pao)(pao)(pao)光。電(dian)化(hua)(hua)學拋(pao)(pao)(pao)(pao)光只是對金(jin)屬表面(mian)上(shang)起微觀(guan)整(zheng)平作用(yong)。宏(hong)觀(guan)的(de)整(zheng)平要(yao)(yao)靠(kao)機械拋(pao)(pao)(pao)(pao)光。電(dian)化(hua)(hua)學拋(pao)(pao)(pao)(pao)光對材料化(hua)(hua)學成(cheng)分的(de)不均(jun)勻性和顯微偏析特(te)別敏感,使(shi)金(jin)屬基體和非金(jin)屬夾雜物之間常(chang)被劇烈浸蝕(shi),有時,有不良的(de)冶(ye)金(jin)狀(zhuang)態,金(jin)屬晶粒尺寸結構的(de)不均(jun)勻性、軋制(zhi)痕跡、鹽類或氧化(hua)(hua)物的(de)污(wu)染、酸(suan)洗過度以及淬火(huo)過度等均(jun)會對電(dian)化(hua)(hua)學拋(pao)(pao)(pao)(pao)光產生不良影響。這些缺陷常(chang)常(chang)要(yao)(yao)靠(kao)先(xian)期的(de)機械拋(pao)(pao)(pao)(pao)光來彌補。
電化(hua)學拋(pao)光與手工機械(xie)拋(pao)光相比,能發(fa)揮下列優點:
①. 產品內外(wai)色澤一致,清潔光亮,光澤持久,外(wai)觀輪(lun)廓清晰;
②. 螺紋(wen)中的(de)毛(mao)刺在(zai)電解過(guo)程(cheng)中溶(rong)解脫落,螺紋(wen)間配合松滑,防(fang)止螺紋(wen)間咬(yao)時的(de)咬(yao)死現象;
③. 拋光面抗腐蝕性(xing)能增強;
④. 與(yu)機械(xie)拋(pao)光相比(bi),生產效率高,生產成本低。